Hynix 相关话题

在推广动态随机存取存储器制造技术方面，三星、SK海力士和广美从未停止脚步。 近日，SK Hynix宣布开发基于第三代1Z纳米(10nm)工艺的DDR4动态随机存取存储器(DRAM)，称其将在单芯片标准下实现世界上最大容量16GB，即晶圆可生产的最大内存量可达到现有的DRAM。据悉，新的1Z纳米动态随机存取存储器支持高达3200兆比特每秒的数据传输速率，达到了DDR4规格内的最高速度。同时，在功耗方面，与上一代相同容量的模块相比，降低了约40%；此外，与上一代1Y纳米产品相比，其生产能力提高了约