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一些老式的功率器件要求具有最小的负载以保证稳定性，因为其中一个必须得到补偿的电极受有效负载电阻的影响。例如，图 A 显示，LM1117 至少需要 1.7 mA 的负载电流（最大 5 mA）。 图 A. LM1117 最小负载电流规格。 大多数新型器件均能在无负载的情况下工作，对于这一规则，极少有例外情况。一些设计技术使得 LDO 在使用任何输出电容（尤其是低 ESR 电容）的情况下都能保持稳定状态，它们也用于保障器件在无负载情况下的稳定性。对于少数需要负载的现代器件，这一限制一般是通过旁路元件

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自从宽带隙 (WBG) 器件诞生以来，为功率变换应用带来了一股令人激动的浪潮。但是，在什么情况下从硅片转换到宽带隙技术才有意义呢？迄今为止，屏蔽栅极 MOSFET、超级结器件和 IGBT等基于硅的功率器件已经很好地在业界得到大规模应用。这些器件在品质因数 (FoM) 方面不断改进，加上在拓扑架构和开关机理等方面的进步，使工程师能够实现更高的系统效率。工程师坚持继续使用硅片的最常见原因可能是在这方面拥有丰富的知识和经验。然而，在某些情况下，下一代电源、逆变器和光伏系统的性能要求使WBG器件应用成

压敏电阻崩裂的缘故 压敏崩裂将会的缘故关键以下： 1、采用的容许电压或规格规格型号过低，压敏电阻过电压毁坏； 2、电路中浪涌过大，或浪涌较为经常，压敏电阻在数次浪涌冲击性下疲惫毁坏崩裂； 3、压敏电阻有缺陷，如可能是假冒伪劣产品商品等，有质量缺点。 压敏电阻的失效模式 第一种劣变，主要表现在泄露电流扩大，压敏电压明显降低，直到为零。 第二种爆裂，若过电压造成的浪涌动能很大，超出了选的压敏电阻器極限的承受力，则压敏电阻器在抑止过电压时可能产生瓷器爆裂状况。 第三种破孔，若过电压最高值非常高，造成