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在推广动态随机存取存储器制造技术方面，三星、SK海力士和广美从未停止脚步。 近日，SK Hynix宣布开发基于第三代1Z纳米(10nm)工艺的DDR4动态随机存取存储器(DRAM)，称其将在单芯片标准下实现世界上最大容量16GB，即晶圆可生产的最大内存量可达到现有的DRAM。据悉，新的1Z纳米动态随机存取存储器支持高达3200兆比特每秒的数据传输速率，达到了DDR4规格内的最高速度。同时，在功耗方面，与上一代相同容量的模块相比，降低了约40%；此外，与上一代1Y纳米产品相比，其生产能力提高了约

随着科技的飞速发展，存储器市场也在不断演变。在这个变化中，ISSI公司以其独特的优势，成功地占据了SRAM市场的一席之地。本文将探讨ISSI在SRAM市场的地位，以及其市场策略和影响力。 首先，我们要了解SRAM的基本特性。SRAM是一种高速的随机存取存储器，它可以在任何时间、任何地点进行读写操作，具有很高的读写速度和较低的功耗。这种存储器广泛应用于计算机系统、移动设备和物联网设备中，以提供快速的数据存储和访问。 在SRAM市场中，ISSI的地位不容忽视。作为一家专注于SRAM设计的公司，IS

据国家知识产权局发布的公告指出，维沃移动通信有限公司已经成功申请并获得了一项名为“随机接入方法、配置方法及相关设备”的发明专利，其授权公告号为CN113973395B，申请日期为2020年7月。 该专利摘要详细阐述了这是一种应用于通讯技术领域的新发明。其创新之处在于，通过对目标随机接入过程中所需的目标信息（如物理上行共享信道PUSC）进行重复传输，从而提升终端在PUSC上行覆盖的能力，有效缩短目标随机接入过程的时间延迟。

本文综述了基于随机有限集方法的多传感器多目标跟踪的最新研究进展。在多传感器滤波中起基础性作用的融合方法可分为数据层多目标测量融合和评估层多目标密度融合，分别共享融合传感器之间的局部测量值与后验密度。分析每个融合规则的重要属性，包括最优性和次优性。阐述面向不同随机有限集的两种健壮的多目标密度平均方法：算术平均融合与几何平均融合。最后突出强调相关研究主题与现存研究挑战。 作者： 达凯1，李天成2，朱永锋1，范红旗1，付强1 审核编辑：黄飞