电子市场网：三星芯片代工加速，台积电对手归来
2024-07-15第四季度，三星芯片代工业务有望以前10名中最快的速度增长，其市场份额也在快速增长，这正在巩固其作为全球第二大芯片代工企业的地位，并成为TSMC的强大竞争对手。 拓运工业研究所预计三星芯片代工业务第四季度同比增长19.3%，而最大的芯片代工公司TSMC仅增长8.6%。当然，就市场份额而言，TSMC仍遥遥领先。其芯片代工市场份额仍高达52.7%，而三星的市场份额仅为17.8%。TSMC作为国王的地位仍然不可动摇。由于自身芯片业务的发展和主要客户高通公司的订单支持，三星芯片代工业务发展迅速。三星是世
标题：三星CL31A106KOHNNNE贴片陶瓷电容CAP CER 10UF 16V X5R 1206的技术与应用介绍 随着电子技术的快速发展，贴片陶瓷电容在各类电子产品中得到了广泛应用。三星CL31A106KOHNNNE贴片陶瓷电容作为一种重要的电子元件，具有独特的性能和特点。本文将围绕三星CL31A106KOHNNNE贴片陶瓷电容的技术和方案应用进行介绍。 一、技术特点 三星CL31A106KOHNNNE贴片陶瓷电容采用X5R高介电常数陶瓷片作为介质，表面覆盖一层金属电极，经过高温烧结而成
三星K4F6E304HB-MGCJ BGA封装DDR储存芯片的技术和方案应用介绍
2024-07-14随着科技的飞速发展，电子设备在我们的日常生活中扮演着越来越重要的角色。而作为电子设备的重要组成部分，内存芯片的地位也日益凸显。三星K4F6E304HB-MGCJ BGA封装DDR储存芯片便是其中一款备受瞩目的产品。本文将为您详细介绍三星K4F6E304HB-MGCJ BGA封装DDR储存芯片的技术和方案应用。 一、技术特点 三星K4F6E304HB-MGCJ是一款采用BGA封装的DDR储存芯片。BGA是Ball Grid Array的简称，是一种先进的封装技术，具有高密度、高性能和低功耗等特点
三星K4F6E304HB-MGCH BGA封装DDR储存芯片的技术和方案应用介绍
2024-07-14随着科技的飞速发展，电子设备的功能越来越强大，对内存的需求也日益增长。三星K4F6E304HB-MGCH BGA封装DDR储存芯片作为一种高性能的内存芯片，在各类电子产品中发挥着至关重要的作用。本文将围绕该芯片的技术和方案应用进行介绍。 一、技术特点 三星K4F6E304HB-MGCH BGA封装DDR储存芯片采用了先进的BGA封装技术。BGA，即球栅阵列封装，是一种将集成电路固定在PCB板上的新技术。该芯片采用高集成度、高容量、低功耗的DDR SDRAM技术，具有高读写速度、低功耗、耐久性强
中国电子元器件网：第四季度三星电子原始设备制造商业务收入预计同比增长19%
2024-07-14市场跟踪机构趋势力(TrendForce)发布的市场报告显示，三星电子的合同制造业务收入预计今年第四季度将达到34亿美元，预计同比增长19.3%。 此外，趋势力量(TrendForce)预测，今年第四季度全球合同制造市场的总收入将比上一季度增长6%，原因是公司削减库存，季节性需求好于预期。 尽管三星电子预计将实现原始设备制造商业务收入19%的同比增长，但这一业绩不足以缩小三星电子和TSMC之间的市场份额差距 TSMC是半导体铸造行业的领导者 数据显示，今年第四季度，该公司在全球合同制造市场的份
中国电子元器件网：三星投资80亿美元在芯片工厂，以促进与非门闪存芯片生产
2024-07-14近日，据国外媒体报道，三星电子将增加在中国Xi安芯片厂的投资80亿美元，以促进与非门闪存芯片的生产。这是三星Xi安闪存芯片项目的第二阶段，第一阶段投资108亿美元。项目第二阶段总投资150亿美元，第一阶段约70亿美元，第二阶段80亿美元。2017年，三星宣布将在三年内投资70亿美元在Xi安的与非门闪存芯片厂。在进行这些投资之前，该公司已投资108亿美元在Xi安的一家测试和包装厂。据报道，该项目第二阶段预计将于2021年下半年完成。建成后，每月新增产能13万台，新增产值300亿元。 行业分析师表
标题：三星CL21A106KAFN3NE贴片陶瓷电容CAP CER 10UF 25V X5R 0805的技术与应用介绍 随着电子技术的快速发展，贴片陶瓷电容在各类电子产品中发挥着越来越重要的作用。三星CL21A106KAFN3NE贴片陶瓷电容，作为一种重要的电子元件，其性能和应用广泛受到关注。本文将围绕三星CL21A106KAFN3NE电容的技术和方案应用进行介绍。 一、技术介绍 三星CL21A106KAFN3NE贴片陶瓷电容采用先进的陶瓷材料和制造工艺，具有高介电常数、低漏电流、耐高温、耐腐
三星K4F4E3S4HF-MGCJ BGA封装DDR储存芯片的技术和方案应用介绍
2024-07-13随着科技的飞速发展，电子产品已经深入到我们生活的每一个角落。而在这些电子产品中，内存芯片扮演着至关重要的角色。三星K4F4E3S4HF-MGCJ是一种BGA封装的DDR储存芯片，它凭借其卓越的性能和稳定性，成为了市场上的明星产品。 首先，我们来了解一下三星K4F4E3S4HF-MGCJ的基本信息。它是一款采用BGA封装的DDR储存芯片，这意味着它采用了球栅阵列封装技术，使得芯片的稳定性和可靠性得到了极大的提升。此外，它支持双通道DDR3L/1600MHz的运行频率，能够提供更高的数据传输速率和
三星K4F4E3S4HF-GUCJ BGA封装DDR储存芯片的技术和方案应用介绍
2024-07-13随着科技的飞速发展，电子产品越来越普及，对储存芯片的需求也日益增长。三星K4F4E3S4HF-GUCJ是一种采用BGA封装的DDR储存芯片，它在性能、可靠性和封装技术等方面表现出色，成为市场上的热门产品。 一、技术特点 三星K4F4E3S4HF-GUCJ采用了BGA封装技术。BGA，即球栅排列封装（Ball Grid Array）的一种，这种技术突破了传统封装模式，通过将数以亿计的小球（焊点）排列成矩阵结构，实现了高密度、高性能的芯片连接。这种封装方式不仅提高了芯片的可靠性，而且可以有效地提高
中国电子元器件网：三星董事长入狱，高管相继入狱。
2024-07-13昨天，三星电子董事长李相勋因违反韩国工会法和扰乱工会活动被判处18个月监禁。据英国《金融时报》报道，该判决立即执行李相勋被立即逮捕并送进监狱。李相勋在他2012年至2017年担任三星首席财务官期间是违法的。去年三月，李相勋被提升为董事长。此前，三星副总裁蒋荀卿也因同样的罪名被判处16个月监禁。李相勋大约25名被告被指控破坏三星电子维修员工的工会活动。三星的管理层和员工在不同程度上参与收集工会成员的敏感个人信息。据《华尔街日报》报道，个人信息包括婚姻状况、个人财务状况和精神健康史。三星此前表示，