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碳化硅 相关话题

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首先要说明SiC 也是可以做IGBT的。 碳化硅(SiC)是一种半导体材料,具有耐高压、耐高温、低损耗等优点,在电力电子领域应用广泛。SiC–IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,绝缘栅双极晶体管)是一种复合全控型电力电子器件,是电力电子技术领域中应用最广泛的一种半导体开关器件。相较于传统的硅IGBT,SiC-IGBT具有更高的工作温度、更高的开关速度和更低的开关损耗,因此具有更高的效率和更小的体积。此外,SiC-IGBT还具有反向恢复电荷小
要降低SIC碳化硅的生产成本,使其能够应用于更广泛的市场,可以考虑以下几种方法: 改进生产工艺:通过优化生产流程和改进生产工艺,可以降低SIC碳化硅的生产成本。例如,采用更大尺寸的SIC单晶晶锭,提高晶锭的利用率,可以降低单位面积的材料成本。研发更高效的设备:研发更高效的设备可以降低SIC碳化硅的生产成本。例如,研发更高效的切割设备,可以减少材料的浪费,提高晶锭的利用率。开发低成本的衬底材料:SIC碳化硅的生产成本还包括衬底材料的成本。开发低成本的衬底材料,如碳化硅纤维或碳化硅颗粒,可以降低S
碳化硅(SiC)半导体是一种使用碳化硅材料制成的半导体器件。碳化硅是一种由碳和硅元素稳定结合而成的晶体,具有独特的物理和化学性质,使其成为制造高效、高温和抗辐射器件的理想材料。 SiC半导体在电子、电力和能源等领域有广泛应用,主要得益于其高温稳定性、抗辐射性能、高击穿场强、低导通损耗和高热导率等优点。 与传统的硅(Si)半导体相比,SiC半导体的禁带宽度是硅的3倍,击穿场强是硅的8倍,这使得SiC半导体能够承受更高的温度、更强的电场和更强的辐射环境。此外,SiC半导体还具有高载流子迁移率和优良
在当今的电子技术领域,各种集成电路类型层出不穷,每种都有其独特的优点和应用场景。其中,碳化硅(SIC)集成电路凭借其卓越的性能、低功耗和高效能,正逐渐成为行业关注的焦点。本文将对SIC与其他集成电路在性能、功耗和成本等方面进行比较,以揭示SIC的竞争优势。 一、性能比较 SIC与硅基集成电路相比,具有更高的禁带宽度、临界击穿电场、热导率和饱和速度。这些优异的材料特性使得SIC在高温、高频率和高电压环境下具有出色的性能表现。此外,SIC的导通电阻比硅基材料低,这有助于减少能量损失并提高系统效率。
2024年以来,包括广汽集团等4家企业均推出了基于碳化硅技术的汽车充电方案,意味着碳化硅有望在充电基础设施领域实现大规模应用: ● 广汽优湃:V2X双向充电桩采用碳化硅技术,充电效率可达97%。 ●Nyobolt :开发了集成SiC器件的直流充电设备,充电效率可达99%。 ●积成科技:已打造碳化硅高功率充电系统,舜发充电桩斩获新能源奖项。 ●Flex:联合意法半导体推出SiC电源转换方案,包括 DC/DC 转换器和车载充电器。 广汽优湃: 推出SiC双向充电桩 1月11日,广汽集团旗下优湃能源
SIC将会发力智能车 01 碳化硅 碳化硅在功率半导体市场(尤其是电动汽车)中越来越受欢迎,但对于许多应用来说仍然过于昂贵。 原因很容易理解,但直到最近,碳化硅在很大程度上还是一种不够成熟技术,不值得投资。现在,随着对可在高压应用中工作的芯片的需求不断增长,SiC 受到了越来越多的关注。与硅功率器件的其他潜在替代品不同,SiC 具有熟悉的优势。 SiC 最初用于晶体收音机中的检测器二极管,是最早具有商业价值的半导体之一。商用 SiC JFET 自 2008 年起就已上市,在极端环境的电子产品中
来源:SiSC半导体芯科技 在刚刚过去的2023年,半导体成为全球科技创新的热点和区域博弈的焦点。半导体行业在2023年上半年经历了短暂的低迷,但下半年出现了复苏,许多公司取得了良好的业绩。展望2024年,消费电子需求复苏有望带动半导体行业结束下行周期;中长期来看,汽车电子化、人工智能和5G等新技术应用则会推动半导体行业持续向好发展。 站在2023年与2024年之间的交汇点,半导体行业接下来将向何处去?这些都是行业非常关心的。《半导体芯科技》杂志特别推出——“新年展望(2024 Outlook
瀚天天成电子科技(厦门)股份有限公司(以下简称“瀚天天成”)已顺利获得上交所科创板的IPO受理,此次IPO由中金公司担任保荐机构。瀚天天成成立于2011年,是一家中美合资企业,专注于碳化硅外延晶片的研发、生产和销售。目前,公司拥有月产能约4万片的外延晶片生产线,且已实现批量供应。 瀚天天成的实际控制人是赵建辉先生,他不仅持有公司控股股权,还一直担任公司的董事长。赵建辉先生的领导力和视野为瀚天天成的稳健发展提供了重要支持。 此次申请科创板上市,瀚天天成计划公开发行股票不超过4315万股,并计划募
MEMS器件广泛应用于机械、光学、射频、生物等领域,气体检测正是其重要应用方向之一。气体检测最常用的方法是基于气敏涂层的传感器,利用其气敏层与被检测物质之间的相互作用而实现气体检测目的。然而,气敏层会导致器件出现老化、可靠性下降和响应时间延长等问题。尤其是在一些特定的应用中(例如恶劣环境),MEMS器件制备常用的硅(Si)或硅基材料无法满足需求,而碳化硅(SiC)由于出色的物理性能,成为制备高性能MEMS器件的理想材料。 据麦姆斯咨询报道,针对上述问题,来自法国图尔大学(University
在全球范围内,有多家企业生产IGBT/碳化硅模块,以下是一些知名的企业。 审核编辑:黄飞