英特尔CEO：美日荷联合限制下，中国芯片制造技术将落后10年！
2024-01-311月19日消息，据外媒报道，在2024年度“达沃斯世界经济论坛”上，英特尔CEO帕特·基辛格 (Pat Gelsinger) 表示，在美日荷的联合限制之下，中国与全球顶尖晶圆厂的技术差距为10年！ 在达沃斯论坛上，帕特·基辛格首先讨论了全球供应链的脆弱性，这一问题在COVID-19大流行期间显露无遗。他指出，数十年来的产业政策使芯片制造业集中在亚洲国家，而美国目前正试图通过《芯片与科学法案》扭转这一趋势。这项立法旨在提高美国的技术自给自足能力。 帕特·基辛格称，英特尔最先进的Intel 18A
英特尔Q4财报营收大增10%，Q1展望逊于预期
2024-01-311月25日，英特尔发布了2023财年第四季度财报，财报显示本季度英特尔营收达到154亿美元，同比增长10%，净利润达到27亿美元，经调整每股纯益达 0.54 美元，预期为 0.45 美元。因为2024财年第一季度预测不及分析师预期，周五该公司股价下跌 11.9%，创 2020 年 7 月以来最大跌幅。 截止到12月底，2023财年全年收入为 542 亿美元，同比下降 14%。全年净利润17亿美元，同比下滑79%。 英特尔首席财务官 David Zinsner 表示：“我们在第四季度继续提高运营
日本电信运营商NTT与英特尔联手开发光电融合半导体
2024-01-31日本电信运营商NTT近日宣布，将与美国芯片巨头英特尔共同开发一款利用“光电融合”技术的半导体。光电融合技术是一种利用光代替电子进行信息处理的技术，通过这种方式，可以大幅降低功耗，提高信息处理的效率。 随着半导体技术的不断进步，半导体的精密化已经接近物理极限，传统的电子计算面临着越来越大的挑战。在此背景下，光计算因高速度、低功耗等优点成为科学界研究的热点。光电融合技术的出现，被视为一项“改变游戏规则的技术”，有望引领半导体产业的新一轮变革。 此次NTT与英特尔的合作，旨在将光电融合技术引入半导体
日本NTT和英特尔将共同开发下一代半导体
2024-01-31日本NTT公司和英特尔公司近日宣布，将与多家半导体厂商合作，共同开展新一代“光电融合”半导体的技术合作和批量生产。据悉，日本政府将为这一项目提供450亿日元（约合人民币22亿元）的支援。 光电融合半导体是一种将光子技术与电子技术相结合的新型半导体，具有高速、低功耗等显著优势。随着5G、物联网、人工智能等技术的快速发展，光电融合半导体在数据传输、处理和存储等领域的应用前景广阔。 此次合作将集结了NTT、英特尔以及半导体产业链上下游企业，共同研发和推广光电融合半导体的生产技术。通过合作，各方将充分
英特尔至强处理器新动态：Sierra Forest已进入通电验证阶段
2024-01-311月29日，英特尔发布了2023年第四季度业绩报告，随后举行了电话财报会议。首席执行官帕特·基辛格详细阐述了旗下至强Sierra Forest及Granite Rapids两款处理器的研发进展，同时就服务器处理器市场发表个人观点。 基辛格指出，英特尔已经成功交付Sierra Forest的最后样品给客户；而Granite Rapids处理器的生产状况超过预期，正在进行通电验证，结果令人满意。 谈及两款至强处理器的市场份额，他预计未来两年大多数企业依旧会选择P核性能更高的至强处理器。相较之下，E
英特尔CEO：中国芯片制造将落后10年
2024-01-30半导体供应链的不确定性依然存在。 美国多年来一直试图通过制裁和出口管制来减缓中国在半导体和人工智能等领域的进步。英特尔首席执行官评论说，这一战略正在影响中国的半导体制造能力，并强调了日本和荷兰等国的合作。这些言论与台积电和 NVIDIA 的声明不谋而合，尽管在这个高度互联的行业中，供应链的不确定性依然存在。 英特尔首席执行官帕特·基辛格在达沃斯世界经济论坛上发表讲话时断言，由于美国对关键芯片制造零部件的制裁，中国的半导体发展将落后于领先国家十年。 为了应对中国在该行业的快速增长，美国制定了控制
英特尔与联华电子联手研发12nm半导体工艺平台
2024-01-30英特尔与联华电子达成战略联盟，共同研发供应12纳米半导体工艺平台，以满足高速增长的移动、通信基建和网络市场需求。这一长期协定结合了英特尔在美国的大规模制造实力和联电在成熟节点的丰富代工经验，旨在完善更广范围的工艺系列。同时也为全球顾客在采购抉择时提供了更多选项，实现供应链的国际分布及弹性保障。 英特尔高层Stuart Pann指出，本次战略合作彰显了英特尔致力于通过技术和制造创新在全球半导体供应链中的地位，助力实现其至2030年成为全球最大代工厂的宏伟目标。 据悉，12纳米节点将充分运用英特尔
英特尔实现大规模生产3D封装技术
2024-01-27英特尔最近宣布，他们已经实现了基于业界领先的半导体封装解决方案的大规模生产，其中包括具有划时代意义的3D封装技术Foveros。这项技术的引入标志着英特尔在半导体封装领域的重大突破。 Foveros封装技术允许在处理器制造过程中以垂直方式堆叠计算模块，而不是传统的水平方式。这不仅提高了集成密度，还有助于优化成本和能效。更重要的是，Foveros使英特尔及其代工客户能够集成不同的计算芯片，在单个封装中实现更复杂的异构芯片生产。 这一技术的量产为英特尔未来的先进封装技术创新奠定了坚实基础。在摩尔定
英特尔联手联华电子,创新12nm制程平台
2024-01-27今日，联华电子和英特尔联合宣布，他们将携手开发12nm制程平台，旨在满足移动通信基础设施和网络领域的高速增长需求。此次长期合作集成了英特尔在美国大规模制造能力和联电在成熟制程方面深厚的知识积累，旨在提供更多元化、稳定的供应链选择，更好地帮助全球客户作出采购决策。 英特尔资深副总裁暨晶圆代工服务总经理 Stuart Pann表示，韩国一直是亚洲和全球半导体产业的核心国家之一，英特尔重视与联电这类具有创新精神的企业合作，为全球客户提供优质服务。他强调，这次与联电的战略合作展示了英特尔对半导体供应链
英特尔3D封装工艺进入量产,集成万亿晶体管
2024-01-271 月 25 日讯息显示，英特尔已实现基于先进封装科技的大规模量产，包括创新的 Foveros 3D 封装技术。这项技术，由英特尔于新墨西哥州 fab 9 工厂进行深度革新与升级后正式投产后披露。英特尔公司首席运营官 Keyvan Esfarjani 称：“这类尖端封装技术使英特尔脱颖而出，助益客户在提升芯片性能、缩小尺寸以及增强设计灵活性等方面掌握竞争优势。” 众所周知，整个半导体领域正迈进一个同时整合多个‘芯粒’（Chiplets，也被称为‘小芯片’）在同一封装中的多元时代。基于此，英特尔