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国内存储器芯片快速发展 势必将打破垄断局面
发布日期:2024-07-30 07:00     点击次数:89

目前在全球的消费电子市场上,存储器是名不虚传的电子行业“原资料”。假如再将存储器细分,又可分为DRAMNAND Flash与Nor Flash三种。

 

投资存储芯片范畴1500亿美圆,我国简直标明了自给自足的决计。目前国内已有三家企业曾经进入这一范畴,合肥长鑫和长江存储分别在DRAMNAND FLASH技术工艺的扩展和开展。福建晋华曾经是第三家,但由于美国商务部对其DRAM设备、器件的禁售,招致其暂堕入窘境。

 

紫光集团是中国开展存储芯片的领头羊,成立长江存储,研发、生存NAND闪存,还有做DDR内存的紫光国微等子公司。

 

依据长江存储和合肥长鑫的产品开展道路图。到2020年,长江存储直接腾跃到128层3D NAND的目的,并消弭从64层到128层的过程,且绕开主要NAND制造商消费的96层闪存芯片。到2021年,分别在NAND FLASH和DRAM的产品研发进度上获得打破,后者将完成17nm的研发。

 

存储器范畴经过几十年的开展,由全球六家公司控制,分别为三星, 芯片采购平台东芝,美光,西部数据,SK海力士英特尔。DRAM市场愈加集中,只要三家公司消费简直一切的DRAM芯片。它们分别是三星,SK海力士美光

 

反观国内,长江存储着力于NAND FLASH的消费,合肥长鑫努力于DRAM的消费。

 

除武汉和合肥外,我国另外三个城市也正在建立存储器工厂。同时,晋江也可能会开端DRAM消费,但是目前由于法律问题,参与其中的公司福建晋华目前处于窘境。

 

随着国内半导体产业投入的加大,国内存储器行业也将迎来加速开展,固然在短期内难以撼动三星、SK海士力以及镁光三足鼎立的场面,但将来凭仗国内庞大的内需市场、优秀的开发才能,以及具国际水准的产能,必将在全球半导体产业具有一席之地。