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SK Hynix推出新动态随机存取存储器，实现世界上最大的单芯片容量标准
- 发布日期：2024-07-23 06:48 点击次数：133 在推广动态随机存取存储器制造技术方面，三星、SK海力士和广美从未停止脚步。
近日，SK Hynix宣布开发基于第三代1Z纳米(10nm)工艺的DDR4动态随机存取存储器(DRAM)，称其将在单芯片标准下实现世界上最大容量16GB，即晶圆可生产的最大内存量可达到现有的DRAM。据悉，新的1Z纳米动态随机存取存储器支持高达3200兆比特每秒的数据传输速率，达到了DDR4规格内的最高速度。同时，在功耗方面，与上一代相同容量的模块相比，降低了约40%；此外，与上一代1Y纳米产品相比，其生产能力提高了约27%， 亿配芯城 因为它不需要昂贵的极紫外(EUV)光刻祝福，因此具有更大的成本竞争优势。值得指出的是，第三代产品使用前一代生产过程中没有使用的新材料来增加电容，随着电容的增加，存储数据的保留时间和一致性也会增加，从而提高稳定性。对于产品的商业用途，SK Hynix表示，将在今年内为大规模生产做准备，并于2020年开始全面供应，以积极响应市场需求。此外，计划将第三代1Z纳米尺度微工程技术扩展到各种应用领域，包括下一代移动动态随机存取存储器LPDDR5和高端动态随机存取存储器HBM3。
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